V浸润式光刻机进一步推进工艺，这就成为了很重要的问题。
实际上在28纳米开始，各半导体厂商就已经开始着手这个问题并进行解决了，使用双重曝光，使用3D晶体管等技术。
这些都是为了在现有DUV浸润式光刻机134纳米光源波长的极限下，进一步缩小晶体管尺寸，提升晶体管密度。
智云微电子也不例外，早早就开始搞多重曝光技术以及3D晶体管技术。
如今正在试产的十四纳米工艺，就是采用了双重曝光加上3D晶体管技术。
不过双重曝光也搞不了等效七纳米工艺啊，怎么办？
智云微电子那边提出来了更加复杂的多重曝光工艺，简单上来说，就是他们想要来个力大飞砖，直接上马四重曝光技术，强行实现等效7七纳米的量产。
但是多重曝光技术，得需要光刻机的套刻精度支持。
这也是海湾科技这边继续死磕套刻精度的缘故，在HDUV-400型号以及500型号之后，又迅速上马了600型号。
此时王道林道：“如果一定要使用DUV浸润式光刻机生产五纳米芯片的话，按照我们的计算，如果不考虑良率问题，不计成本的话，使用600型号光刻机，勉强也能生产一些等效五纳米工艺的芯片。”
“如果要考虑成本问题，考虑商业应用的话，少说也得搞个一点五纳米套刻精度的光刻机出来，这样才能把良率控制在一定范围内。”
“但是一点五纳米工艺的套刻精度，这个太难了，这个套刻精度我们规划是放在EUV光刻机上的，而且还是第二代EUV光刻机！”
“我们规划中的第一代EUV光刻机，设计采用的还是两纳米的套刻精度呢，设计指标是主要用于等效七纳米工艺的生产。”
“规划中的第二代EUV光刻机，才会使用一点五纳米的套刻精度，继而实现等效五纳米的工艺节点！”
听着王道林的话，徐申学道：“EUV光刻机这事，还是要加速研发，争取三年内弄个样机出来！”
王道林道：“样机的话，倒是有一定把握，但是要要距离完全实用化，恐怕会很久！”
“目前我们在EUV光刻机的技术推动上，还存在大量需要解决的技术难题。”
“