、压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。
分别形成P区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。
而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那么高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。
抛开封装，只是从硅片到布满成品芯片核心（DIE）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备硅片那一步工艺。
甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。
这是真的简单，而且对材料的要求也不高。
只需要考虑引入三种元素。
——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。
其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题，只是用于沉积。
某退休老头：真是太好玩儿了.jpg。
而NMOS和CMOS的难度，可就比PMOS大多了，PMOS别的不说，至少做逻辑集成电路没问题，而且，这玩意10μm的制程是能做C8008的，其实做更高的制程也没问题。
选定了PMOS，高振东很快就把工艺路线给确定下来了。
不要最后一步钝化，4次光刻，只到金属光刻完成为止。
至于为什么选这个，当然是因为简单了，而且他一开始是做比较粗的制程的，这个程度也就够了。
而且，少这一步，成本也会下降。
先把逻辑门电路拿出来，支撑住DJS-60D的生产，然后再去搞更好的。
先解决有没有，再解决好不好。
选定了这些，抄起书来，那就快了，高振东花了一个下午飞快的把书抄完，第二天一個电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。
一个多小时过后，吕厂长和鲁总工带着人联袂而至，就等着这一天呢。
看着高振东给出的工艺设计指导文件，两人有点懵，这玩意比起原来的，怎么还变薄了？
先进技术