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第一百三十二章 提前截胡台积电4K(2 / 4)

f技术路线,因为林本坚这次在参加光学大会接受采访的时候自己说的。

“是帮光刻机公司打掩护吗?”

林本坚笑了:“我已经从ib离职了,ib这几年也几乎没有在光刻机领域继续投入了。

我又没有为尼康或者佳能工作,为什么要帮他们打掩护。

我当然是从我内心出发更加看好arf技术路线。

我们刚刚说的是arf的缺点,这些缺点只是暂时的。

在krf光源代替g线和i线的过程中,同样有很多困难。”

g线是436n波长的光源,i线是365n波长的光源。

“相对于g线和i线,krf需要新的光刻胶和抗反射涂层材料来适应krf光源的特性。

同时krf要求更高性能的光学系统和光掩膜材料。

当时需要采用更先进的透镜和光学元件,以实现更高的数值孔径和分辨率。

此外,光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。

krf还需要优化曝光过程,以提高成像质量。

我们当时主要采用了双重曝光和离焦曝光技术来降低光刻误差。

让我想想,对了,我们当时在研发krf光源的时候还要对控制进行考虑,因为krf实现了更高的分辨率,所以需要更严格的制程控制要求。

需要对光刻胶涂覆厚度、曝光剂量、显影过程等参数进行更精确的控制,以保证光刻成像质量和产量。

这么多困难,我们照样克服了,最终krf光源代替了g线和i线,成为了今天的最先进的制程光源。

同样未来短波长的光源势必然会代替长波长的光源,这是技术进步的必然。

我们刚刚讨论的困难只是暂时的困难。”

asl、尼康和佳能只是暂缓了在arf上的投入,而不是停止了在arf技术路线上的投入。

后来asl实现弯道超车,也是因为他们选择了正确的技术路线,arf光源以水为介质,在光刻胶上面抹一层水。

水的介质折射率是144,193纳米÷144≈134纳米,arf光源的波长进一步减少了。

asl能够干掉尼康和佳能,垄断光刻机领域,他们在技术路线的两个关键节点都做出了正确的选择。

应该稳健的时候他们比尼康稳健,从而在光刻机市场站稳了脚跟。

应该激进的时候他们比尼康激进,从而占据了高端市场,把高额利润全部吃掉了,后续一直保持住了技术领先。

arf技术路线突破之后,arf的波长是193n,他最多能够制造65n的芯片。

如果要制造40n制程以下的芯片,需要找到160n以下的光源。

尼康和佳能等企业选择的是157n的f2激光,而asl找到了光源做介质直接一步到位了。

当然没有加一层水那么简单。

“我关于arf技术路线一直认为是有办法解决的。

首先是需要专门针对arf光源设计对应的光刻胶,其次是研发抗反射涂层,然后是改进光刻机的光学系统,找蔡司定制更先进的透镜。

来实现更高的数值孔径和分辨率。

同时在曝光过程中进行优化。<

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