体结构：峰值显示良好外延，但电阻测试在液氮浴（77K）中，超导转变温度Tc只有50K，远低于预期。
第二个月：“我觉得应该是硒空位缺陷导致的费米面重构不完整，吴工，尝试一下增加后退火步骤，在真空下加热到400°C，促进界面电荷转移。”林燃提醒道“我觉得界面效应会是关键，SrTiO3的极性层会诱导二维电子气，提升Tc。”
这和2014年Nature的一篇文献有关，在那篇文献里有提到，FeSe/SrTiO3系统可以利用界面效应将Tc从8K推到100K以上。
团队迭代三次，调整硒/铁比从6:1到8:1，终于在第四个样品上看到进步：XRD显示锐利峰，表明完美晶格匹配。
第三个月，才开始初见曙光，使用高压氧掺杂，FeSe薄膜的晶格扭曲，a轴参数从3.76增加到3.78，电子-声子耦合增强。
在模拟观测中，显示Tc能达105K。
林燃说：“我知道大家很高兴，但这还不够，我们需要继续优化。
因为月球南极的辐射环境会干扰Cooper对，但低温能抑制热噪声。
我们需要集成辐射屏蔽层，用硼掺杂金刚石作为缓冲，BDD的Tc虽只有11K，但其宽带隙能阻挡宇宙射线。”
他们开始掺杂实验：在MBE腔内引入氧气束，压力控制在10^-6 Torr，掺杂水平0.1-0.2原子%。
测试使用四探针法测量电阻-温度曲线：在氦气制冷机下，从300K降温，电阻在110K附近骤降到零，磁化率测试确认Meissner效应，临界电流密度Jc达10^5 A/cm。
“教授，根据失败样品分析，STM显示氧团簇导致相分离。”吴工说。
林燃思考片刻后说道：“调整氧束能量可行吗？”
他们调整氧束能量从5eV到3eV来对均匀性进行优化调整。
第四个月，团队终于做出第二个样品：一个5cm见方的芯片，表面闪烁着金属光泽，集成BDD屏蔽层厚度2μm。
测试在液氮模拟下，电阻骤降到零，能够运行简单AI算法：芯片处理100x100矩阵乘法，效率比硅基高500%，且无热积累。
整个团队空前振奋，